BSO130N03MS G參數(shù):MOSFET N-CH 30V 9A DSO-8
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation26/Jul/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:OptiMOS™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):13毫歐@11.1A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):17nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1300pF@15V功率-最大值:1.56W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8