BSO150N03MD G參數(shù):MOSFET 2N-CH 30V 8A DSO8
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:OptiMOS™包裝:帶卷 (TR)FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):8A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 9.3A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):17nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1300pF @ 15V功率 - 最大值:1.4W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8