BSO200P03S參數(shù):MOSFET P-CH 30V 7.4A DSO-8
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation26/Jul/2012標準包裝:2,500系列:OptiMOS™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):7.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):20毫歐@9.1A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.5V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):54nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):2330pF@25V功率-最大值:1.56W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應商器件封裝:PG-DSO-8