BSP122,115參數(shù):MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝:1,000系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):550mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 750mA,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):100pF @ 25V功率 - 最大值:1.5W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-261-4,TO-261AA供應(yīng)商器件封裝:SC-73