BSP149 E6327參數(shù):MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation28/Mar/2008標準包裝:1,000系列:SIPMOS®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:耗盡模式漏源極電壓(Vdss):200V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):660mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):1.8歐姆@660mA,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1V@400µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):14nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):430pF@25V功率-最大值:1.8W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-261-4,TO-261AA供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4