BSP171PE6327參數(shù):MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation28/Mar/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000系列:SIPMOS®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):1.9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):300毫歐@1.9A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):2V@460µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):20nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):460pF@25V功率-最大值:1.8W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-261-4,TO-261AA供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4