BSP315P-E6327參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008標準包裝：1,000系列：SIPMOS®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.17A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：800毫歐@1.17A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@160µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：7.8nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：160pF@25V功率-最大值：1.8W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT223-4
