BSP320S E6327參數(shù):MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation28/Mar/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000系列:SIPMOS®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):2.9A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):120毫歐@2.9A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):4V@20µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):340pF@25V功率-最大值:1.8W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-261-4,TO-261AA供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4