BSP322P L6327
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BSP322P L6327參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：1A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：800 毫歐 @ 1A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 380µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：16.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：372pF @ 25V
功率 - 最大值：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT223-4