BSP171P L6327參數(shù):MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝:1,000系列:SIPMOS®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):1.9A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.9A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 460µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):20nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):460pF @ 25V功率 - 最大值:1.8W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-261-4,TO-261AA供應商器件封裝:PG-SOT223-4